國(guó)產(chǎn)射頻芯片產(chǎn)業(yè)鏈現(xiàn)狀

在射頻芯片領(lǐng)域，市場(chǎng)主要被海外巨頭所壟斷，海外的主要公司有 Qrovo，skyworks 和 Broadcom；國(guó)內(nèi)射頻芯片方面，沒(méi)有公司能夠獨(dú)立支撐 IDM 的運(yùn)營(yíng)模式，主要為 Fabless 設(shè)計(jì)類(lèi)公司；國(guó)內(nèi)企業(yè)通過(guò)設(shè)計(jì)、代工、封裝環(huán)節(jié)的協(xié)同，形成了“軟 IDM“”的運(yùn)營(yíng)模式。 

射頻芯片設(shè)計(jì)方面，國(guó)內(nèi)公司在 5G 芯片已經(jīng)有所成績(jī)，具有一定的出貨能力。射頻芯片設(shè)計(jì)具有較高的門(mén)檻，具備射頻開(kāi)發(fā)經(jīng)驗(yàn)后，可以加速后續(xù)高級(jí)品類(lèi)射頻芯片的開(kāi)發(fā)。目前，具備射頻芯片設(shè)計(jì)的公司有紫光展銳、唯捷創(chuàng)芯、中普微、中興通訊、雷柏科技、華虹設(shè)計(jì)、江蘇鉅芯、愛(ài)斯泰克等。 

射頻芯片代工方面，臺(tái)灣已經(jīng)成為全球最大的化合物半導(dǎo)體芯片代工廠，臺(tái)灣主要的代工廠有穩(wěn)懋、宏捷科和寰宇，國(guó)內(nèi)僅有三安光電和海威華芯開(kāi)始涉足化合物半導(dǎo)體代工。三安光電是國(guó)內(nèi)目前國(guó)內(nèi)布局最為完善，具有 GaAs HBT/pHEMT 和 GaNSBD/FET 工藝布局，目前在于國(guó)內(nèi) 200 多家企事業(yè)單位進(jìn)行合作，有 10 多種芯片通過(guò)性能驗(yàn)證，即將量產(chǎn)。海威華芯為海特高新控股的子公司，與中國(guó)電科 29 所合資，目前具有 GaAs 0.25um PHEMT 工藝制程能力。 

射頻芯片封裝方面，5G 射頻芯片一方面頻率升高導(dǎo)致電路中連接線的對(duì)電路性能影響更大，封裝時(shí)需要減小信號(hào)連接線的長(zhǎng)度；另一方面需要把功率放大器、低噪聲放大器、開(kāi)關(guān)和濾波器封裝成為一個(gè)模塊,一方面減小體積另一方面方便下游終端廠商使用。為了減小射頻參數(shù)的寄生需要采用 Flip-Chip、Fan-In 和 Fan-Out 封裝技術(shù)。 

Flip-Chip 和 Fan-In、Fan-Out 工藝封裝時(shí)，不需要通過(guò)金絲鍵合線進(jìn)行信號(hào)連接，減少了由于金絲鍵合線帶來(lái)的寄生電效應(yīng)，提高芯片射頻性能；到 5G 時(shí)代，高性能的 Flip-Chip/Fan-In/Fan-Out 結(jié)合 Sip 封裝技術(shù)會(huì)是未來(lái)封裝的趨勢(shì)。 

Flip-Chip/Fan-In/Fan-Out 和 Sip 封裝屬于高級(jí)封裝，其盈利能力遠(yuǎn)高于傳統(tǒng)封裝。國(guó)內(nèi)上市公司，長(zhǎng)電科技收購(gòu)星科金朋后，形成了完整的 FlipChip+Sip 技術(shù)的封裝能力。