近日，第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）官方微信消息，其標(biāo)準(zhǔn)化委員會（CASAS）公布了13項標(biāo)準(zhǔn)新進(jìn)展，包括2項GaN HEMT動態(tài)導(dǎo)通電阻測試標(biāo)準(zhǔn)形成委員會草案、2項SiC單晶生長用等靜壓石墨標(biāo)準(zhǔn)征求意見、9項SiC MOSFET技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)已完成征求意見稿的編制。

01
2項GaN HEMT動態(tài)導(dǎo)通電阻測試標(biāo)準(zhǔn)形成委員會草案

2024年7月25日，由浙江大學(xué)、浙江大學(xué)杭州國際科創(chuàng)中心牽頭起草的團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)T/CASAS 34—202X《用于零電壓軟開通電路的氮化鎵高電子遷移率晶體管動態(tài)導(dǎo)通電阻測試方法》、T/CASAS 35—202X《用于第三象限續(xù)流的氮化鎵高電子遷移率晶體管動態(tài)導(dǎo)通電阻測試方法》已形成委員會草案，兩項標(biāo)準(zhǔn)委員會草案按照CASAS標(biāo)準(zhǔn)制定程序，反復(fù)斟酌、修改、編制而成。起草組召開了多次正式或非正式的專題研討會，得到了很多CASAS正式成員的支持。委員會草案已經(jīng)由秘書處郵件發(fā)送至聯(lián)盟常務(wù)理事及理事單位。

T/CASAS 34—202X《用于零電壓軟開通電路的氮化鎵高電子遷移率晶體管動態(tài)導(dǎo)通電阻測試方法》描述了用于零電壓軟開通電路的氮化鎵高電子遷移率晶體管（GaN HEMT）動態(tài)導(dǎo)通電阻測試方法。適用于進(jìn)行GaN HEMT的生產(chǎn)研發(fā)、特性表征、量產(chǎn)測試、可靠性評估及應(yīng)用評估等工作場景?？蓱?yīng)用于以下器件：a)GaN增強(qiáng)型和耗盡型分立電力電子器件；b)GaN集成功率電路；c)以上的晶圓級及封裝級產(chǎn)品。

T/CASAS 35—202X《用于第三象限續(xù)流的氮化鎵高電子遷移率晶體管動態(tài)導(dǎo)通電阻測試方法》描述了用于第三象限續(xù)流模式（包括硬關(guān)斷和零電流關(guān)斷）的氮化鎵高電子遷移率晶體管（GaN HEMT）電力電子動態(tài)導(dǎo)通電阻測試方法。適用于進(jìn)行GaN HEMT的生產(chǎn)研發(fā)、特性表征、量產(chǎn)測試、可靠性評估及應(yīng)用評估等工作場景?？蓱?yīng)用于以下器件：a)GaN增強(qiáng)型分立電力電子器件；b)GaN集成功率電路；c)以上的晶圓級及封裝級產(chǎn)品。

02
2項SiC單晶生長用等靜壓石墨標(biāo)準(zhǔn)征求意見

由賽邁科先進(jìn)材料股份有限公司牽頭起草的標(biāo)準(zhǔn)T/CASAS 036—202X《碳化硅單晶生長用等靜壓石墨構(gòu)件純度測定輝光放電質(zhì)譜法》、T/CASAS 048—202X《碳化硅單晶生長用等靜壓石墨》已完成征求意見稿的編制，該項標(biāo)準(zhǔn)征求意見稿按照CASAS標(biāo)準(zhǔn)制定程序，反復(fù)斟酌、修改、編制而成，起草組召開了多次正式或非正式的專題研討會。根據(jù)聯(lián)盟標(biāo)準(zhǔn)化工作管理辦法，2024年7月25日起開始征求意見，截止日期2024年8月24日。征求意見稿已經(jīng)由秘書處郵件發(fā)送至聯(lián)盟成員單位；非聯(lián)盟成員單位如有需要，可發(fā)郵件至：casas@casa-china.cn。

T/CASAS 036—202X《碳化硅單晶生長用等靜壓石墨構(gòu)件純度測定輝光放電質(zhì)譜法》規(guī)定了采用輝光放電質(zhì)譜法測定等靜壓石墨構(gòu)件純度的方法，包括術(shù)語和定義、試驗原理、試驗環(huán)境、儀器設(shè)備、試劑與材料、試樣、試驗步驟、試驗結(jié)果及試驗報告。

本文件適用于單個雜質(zhì)元素含量范圍為0.01mg/kg～5mg/kg的碳化硅單晶生長用等靜壓石墨構(gòu)件純度的測定，所述構(gòu)件包括碳化硅單晶生長爐中的加熱器、坩堝、籽晶托等內(nèi)部構(gòu)件。碳化硅粉體合成用加熱器、坩堝等石墨熱場部件，以及碳化硅外延生長用石墨基材的純度測定可參考本文件。

T/CASAS 048—202X《碳化硅單晶生長用等靜壓石墨》描述了碳化硅單晶生長用等靜壓石墨的技術(shù)要求、試驗方法、檢驗規(guī)則、標(biāo)識、包裝、運(yùn)輸和貯存等。

本文件適用于純度要求達(dá)到5N5（質(zhì)量分?jǐn)?shù)99.9995%）以上的碳化硅單晶生長用或碳化硅粉體合成用等靜壓石墨，包括碳化硅單晶生長用加熱器、坩堝、籽晶托等內(nèi)部構(gòu)件，以及碳化硅粉體合成用加熱器、坩堝等石墨熱場部件。

03
SiC MOSFET 閾值電壓等9項技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)形成征求意見稿

7月19日，T/CASAS 021—202X《SiC MOSFET閾值電壓測試方法》等9項SiC MOSFET技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)已完成征求意見稿的編制。

其中，T/CASAS 033—20XX《SiC MOSFET功率器件開關(guān)動態(tài)測試方法》由聞泰科技股份有限公司、重慶大學(xué)、工業(yè)和信息化部電子第五研究所、浙江大學(xué)、泰克科技（中國）有限公司等聯(lián)合提出。

T/CASAS 033—20XX《SiC MOSFET功率器件開關(guān)動態(tài)測試方法》針對SiC MOSFET器件的開關(guān)動態(tài)特性，基于當(dāng)前SiC半導(dǎo)體行業(yè)的市場需求，對SiC MOSFET器件進(jìn)行特定測試電路下的脈沖測試，提案規(guī)定了測試所需要包含的設(shè)置條件、測試工具、測試項目以及計量方法等，包括：1、總則、規(guī)范性引用文件；2、術(shù)語、定義、文字符號；3、電路構(gòu)成和測試要求；4、操作方法和測試流程；5、計量方法和評價方案；6、其他安全注意事項等技術(shù)性內(nèi)容。